1、MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

2、在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。

【资料图】

3、当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

4、作用：可应用于放大电路。

5、由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

6、2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

7、常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

8、3、可以用作可变电阻。

9、4、可以方便地用作恒流源。

10、5、可以用作电子开关。

11、简介：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

12、是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。

13、或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

14、MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

15、在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

16、这样的器件被认为是对称的。

17、结构特点：MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。

18、导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

19、 n沟道mos管 p沟道mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

20、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。

21、n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

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